© Fotolia / Yauhenka
Cientistas
chineses criaram um dispositivo de memória flash com a mais alta
velocidade de gravação de dados no mundo, relata a agência de notícias
chinesa Xinhua.
A Xinhua destaca que a velocidade do dispositivo atinge um bit em 400 picosegundos.
Um picosegundo é uma unidade de medida de tempo que representa um trilionésimo de segundo.
"Uma equipe de pesquisa chinesa desenvolveu um dispositivo revolucionário de memória flash que pode armazenar dados a uma velocidade de um bit a cada 400 picosegundos, estabelecendo um novo recorde para o dispositivo de armazenamento mais rápido já registrado", ressalta a publicação.
16 de março, 10:19
Segundo o artigo, a equipe de pesquisadores da Universidade de Fudan, em Xangai, desenvolveu uma memória flash bidimensional não volátil com um canal de grafeno, chamada PoX.
A Xinhua informa que PoX supera até mesmo os dispositivos de memória volátil mais rápidos existentes, que exigem cerca de um a dez nanossegundos para gravar um bit de dados.
"Ao usar algoritmos de IA [Inteligência Artificial] para otimizar as condições de teste do processo, avançamos significativamente essa inovação e abrimos caminho para suas futuras aplicações", finaliza a publicação, citando Zhou Peng, o principal pesquisador do estudo da Universidade de Fudan.
Fonte: https://noticiabrasil.net.br/20250417/midia-cientistas-da-china-criam-dispositivo-revolucionario-que-grava-dados-a-velocidade-estonteante-39210963.html
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